Datrysiad thermol modiwl IGBT ynni newydd

Fel dyfais graidd trosi a throsglwyddo ynni newydd, mae ystod pŵer y modiwl IGBT o gannoedd o wat i ychydig megawat, sef "CPU" y ddyfais electronig drydanol. Mae'n ymwneud â defnyddio gyriannau cyffredinol ac ynni adnewyddadwy, megis offer awtomeiddio diwydiannol, offer cartref, cludo rheilffyrdd, a meysydd ynni newydd.

 Mae'r gwres yn suddo ar fodiwl IGBT

   Po fwyaf yw cerrynt y modiwl IGBT, yr uchaf fydd yr amlder newid a'r uchaf fydd defnydd pŵer thermol y modiwl. O ganlyniad, bydd colli'r modiwl IGBT yn fawr a bydd tymheredd y ddyfais yn rhy uchel.

Os yw'r tymheredd yn rhy uchel, bydd effeithlonrwydd y modiwl yn gostwng, ac yna bydd y cynnydd gwaith cyfan yn cael ei effeithio.

Yn enwedig y cydrannau hynny y mae angen iddynt weithio'n barhaus, mae'r modiwl IGBT yn fwy dibynnol ar yr angen am system oeri thermol dda i wneud y warant.

Bydd afradu gwres gwael modiwl IGBT yn achosi difrod yn uniongyrchol ac yn effeithio ar weithrediad y peiriant cyfan.

Yn gyffredinol, rhaid i ddyfeisiau electronig pŵer sy'n seiliedig ar ddyfeisiau silicon weithredu o dan 125 gradd C a rhaid i IGBTs weithredu o dan 150 gradd C, y gellir eu hymestyn i 200 gradd C ar gyfer dyfeisiau carbid silicon yn y dyfodol.

Mae rheolaeth thermol electroneg pŵer yn aml yn gofyn am ddefnyddio deunyddiau rhyngwyneb dargludol thermol i gysylltu'r IGBT â'r sinc gwres, ac mae'r rhyngwyneb yn chwarae rhan hanfodol yn y rhwystriant thermol cyffredinol a pherfformiad hirdymor.

Mae'r modiwl IGBT yn cynnwys sglodyn yn bennaf, haen seramig uniongyrchol wedi'i gorchuddio â chopr a swbstrad. Mae'r interlayer yn cael ei weldio gan sodrwr, ac mae'r swbstrad wedi'i gysylltu'n gyffredinol â'r rheiddiadur trwy saim thermol. Mae ganddo wrthwynebiad thermol isel, dibynadwyedd uchel, ac ni fydd yn anweddu ac yn caledu pan fydd yn agored i dymheredd uchel am amser hir. Mae'n ddewis da ar gyfer oeri IGBT cerbyd ynni newydd.